FDC5614P 与 SI3127DV-T1-GE3 区别
| 型号 | FDC5614P | SI3127DV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-FDC5614P-3 | A-SI3127DV-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | P-Channel 60 V 105 mohm Logic Level PowerTrench Mosfet - SSOT-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SuperSOT-6 | TSOT-23-6 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 13A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 89mΩ@1.5A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 100 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||
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FDFS2P106A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Ta) ±20V 900mW(Ta) 110m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||
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FDFS2P106A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Ta) ±20V 900mW(Ta) 110m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI3127DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||
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SI3459BDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 P-Channel 2.2A 216mΩ 3V |
￥1.56
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0 | 对比 | ||||
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SI3459BDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 P-Channel 2.2A 216mΩ 3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
