FDN304P 与 IRLML6402TRPBF 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	FDN304P	IRLML6402TRPBF
吃瓜编号	A3-FDN304P-1	A-IRLML6402TRPBF
制造商	ON Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	P-Channel 20 V 52 mOhm 1.8V Surface Mount Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3	MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
数据表		IRLML6402TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	500mW(Ta)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	52 毫欧 @ 2.4A,4.5V	65mΩ@3.7A,4.5V
漏源极电压Vds	20V	20V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)	1.3W
栅极电压Vgs	±8V	±12V
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	SuperSOT-3	SOT-23
连续漏极电流Id	2.4A	3.7A
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C
系列	PowerTrench®	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA	1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1312pF @ 10V	633pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	20nC @ 4.5V	12nC @ 5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1312pF @ 10V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	20nC @ 4.5V	-
库存与单价
库存	0	3,440
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDN304P	ON Semiconductor		通用MOSFET	2.4A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 52m Ohms@2.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 2.4A 52 毫欧 @ 2.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3	暂无价格	0	当前型号
IRLML6402TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23	暂无价格	3,440	对比
SI2305B-TP	MCC	数据手册	小信号MOSFET	SOT-23	暂无价格	3,000	对比
PMV48XP,215	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A	暂无价格	3,000	对比
AO3415	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C	暂无价格	1,828	对比
PMV50UPE,215	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	SOT23 P-Channel 66mΩ@3.2A,4.5V 0.5W -55°C~150°C ±8V -20V -3.7A	暂无价格	599	对比