FQD8P10TM 与 SIHFR9120-GE3 区别
| 型号 | FQD8P10TM | SIHFR9120-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-FQD8P10TM | A3t-SIHFR9120-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 100 V 0.53 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252-2 | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | - | 5.6A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 600 mOhms @ 3.4A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W,42W |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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FQD8P10TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-2 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||
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IRFR9120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
480mΩ@3.9A,10V ±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 100V 6.6A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥1.2455
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0 | 对比 | ||||||
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SMBJ24A-E3/52 | Vishay | 数据手册 | TVS/ESD电路保护二极管 |
38.9V -55°C~150°C(TJ) 24V |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||
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SIHFR9120-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
5.6A(Tc) P-Channel 600 mOhms @ 3.4A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
