NTB25P06T4G 与 IRF5210SPBF 区别
| 型号 | NTB25P06T4G | IRF5210SPBF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-NTB25P06T4G | A-IRF5210SPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 60 V 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@38A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.1W(Ta),170W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-2 | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 38A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2780pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 230nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2780pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 230nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 800 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NTB25P06T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-263-2 |
暂无价格 | 800 | 当前型号 |
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IRF5210STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A |
暂无价格 | 800 | 对比 |
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IRF5210SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF5210STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM55P06-19L-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
55A(Tc) P-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM55P06-19L-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
55A(Tc) P-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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