NTB25P06T4G 与 IRF5210STRLPBF 区别
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规格信息
型号	NTB25P06T4G	IRF5210STRLPBF
吃瓜编号	A3-NTB25P06T4G	A-IRF5210STRLPBF
制造商	ON Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	MOSFET	功率MOSFET
描述	表面贴装型 P 通道 60 V 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK	Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表	NTB25P06T4G.pdf	IRF5210STRLPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
封装/外壳	TO-263-2	TO-263-3
工作温度	-	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	-	38A
Rds On(Max)@Id,Vgs	-	60mΩ@38A,10V
漏源极电压Vds	-	100V
Pd-功率耗散(Max)	-	3.1W(Ta)
栅极电压Vgs	-	±20V
FET类型	-	P-Channel
库存与单价
库存	800	800
工厂交货期	3 - 15天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
NTB25P06T4G	ON Semiconductor	数据手册	MOSFET	TO-263-2	暂无价格	800	当前型号
IRF5210STRLPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A	暂无价格	800	对比
IRF5210SPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK	暂无价格	0	对比
IRF5210STRRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK	暂无价格	0	对比
SUM55P06-19L-E3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	55A(Tc) P-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V	暂无价格	0	对比
SUM55P06-19L-E3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	55A(Tc) P-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V	暂无价格	0	对比