NTMFS5C628NLT1G 与 SIR662DP-T1-GE3 区别
| 型号 | NTMFS5C628NLT1G | SIR662DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-NTMFS5C628NLT1G | A3t-SIR662DP-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5DFN | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4mΩ@50A,10V | 2.7mΩ |
| 零件号别名 | - | SIR662DP-GE3 |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W | 6.25W(Ta),104W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8FL | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 150A | 60A |
| 系列 | - | SIR |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 长度 | - | 6.15 mm |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4365pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 96nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 高度 | - | 1.04 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.4mΩ@50A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 150A 60V 110W N-Channel |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
|
NVMFS5C628NLAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOP8 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
NTMFS5C628NLT3G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
NVMFS5C628NLAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOP8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 55 | 对比 |
|
|
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
