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NTR4503NT1G  与  FDV303N  区别

型号 NTR4503NT1G FDV303N
吃瓜编号 A3-NTR4503NT1G-1 A-FDV303N
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 1.5A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3(TO-236) N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
漏源极电压Vds - 25V
Pd-功率耗散(Max) - 350mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3(TO-236-3) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 680mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,000 57,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4503NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3(TO-236-3)

暂无价格 3,000 当前型号
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 57,000 对比
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V

暂无价格 3,270 对比
RTF015N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥2.6256 

阶梯数 价格
60: ¥2.6256
100: ¥1.9836
300: ¥1.5524
500: ¥1.4662
1,000: ¥1.3991
1,438 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 0 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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