QS6K1TR 与 SI3932DV-T1-GE3 区别
| 型号 | QS6K1TR | SI3932DV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-QS6K1TR | A3t-SI3932DV-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6 | Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TSMT | TSOP-6 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 1A | 3.7A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 238mΩ@1A,4.5V | 47mΩ |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 77pF @ 10V | 235pF @ 15V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1.4W |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.4nC @ 4.5V | 6nC @ 10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 160 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
暂无价格 | 160 | 当前型号 |
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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