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RK7002BMT116  与  2N7002K-T1-GE3  区别

型号 RK7002BMT116 2N7002K-T1-GE3
吃瓜编号 A3-RK7002BMT116 A3t-2N7002K-T1-GE3-3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.60mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4Ω@250mA,10V
上升时间 5 ns -
Qg-栅极电荷 - 0.4nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.25A 300mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 28 ns -
高度 - 1.45mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200mW(Ta) 0.35W
典型关闭延迟时间 18 ns 35ns
FET类型 N-Channel -
系列 RK 2N7002K
通道数量 1 Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 15pF @ 25V 30pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 3.5 ns 25ns
库存与单价
库存 2,475 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RK7002BMT116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 200mW(Ta) 2.4Ω@250mA,10V 150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.25A

暂无价格 2,475 当前型号
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 200 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 0 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 0 对比

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