SCT3080KRC14 与 SCT3080KLHRC11 区别
| 型号 | SCT3080KRC14 | SCT3080KLHRC11 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-SCT3080KRC14 | A-SCT3080KLHRC11 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | SiC MOSFET | SiC MOSFET |
| 描述 | SICFET N-CH 1200V 31A TO247N | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 165W |
| 产品特性 | - | 车规 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 785pF @ 800V |
| FET 类型 | N 通道 | - |
| 封装/外壳 | TO-247-4 | TO-247N |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | 175°C(TJ) |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 104 毫欧 @ 10A,18V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 31A(Tc) | - |
| Vgs(最大值) | - | +22V,-4V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 18V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 5mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 785pF @ 800V | - |
| 技术 | - | SiCFET(碳化硅) |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 104 毫欧 @ 10A,18V | - |
| Vgs（最大值） | +22V,-4V | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 5.6V @ 5mA |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 31A(Tc) |
| 功率耗散（最大值） | 165W | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 1200V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 18V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 60nC @ 18V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 350 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3080KRC14 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) TO-247-4 |
暂无价格 | 350 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥190.7856
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445 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥190.7856
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254 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 219 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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