STB25NM60ND 与 SIHB22N60E-GE3 区别
| 型号 | STB25NM60ND | SIHB22N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-STB25NM60ND | A-SIHB22N60E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 180mΩ@11A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 227W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 21A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1920pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 86nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 |
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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