STD8N65M5 与 SIHD6N65E-GE3 区别
| 型号 | STD8N65M5 | SIHD6N65E-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-STD8N65M5 | A3t-SIHD6N65E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK | E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 600mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 4V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 78W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 7A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 820pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
