STF11NM80 与 SPA17N80C3 区别
| 型号 | STF11NM80 | SPA17N80C3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-STF11NM80 | A-SPA17N80C3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.85mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 290mΩ |
| 上升时间 | - | 15ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 177nC |
| 栅极电压Vgs | - | 2.1V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 15S |
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | - |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 17A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10.65mm |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V |
| 下降时间 | - | 6ns |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2320pF @ 25V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 3.9V @ 1mA |
| 高度 | - | 16.15mm |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 42W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 72ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | CoolMOSC3 |
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 177nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 9,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STF11NM80 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 9,500 | 当前型号 | ||||
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R6011KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 11A(Tc) ±20V 53W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel |
暂无价格 | 512 | 对比 | ||||
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SPA17N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 800V 17A 290mΩ 2.1V 42W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SPA11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A 450mΩ 10V 34W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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|
R6011KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 11A(Tc) ±20V 53W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel |
¥7.5495
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0 | 对比 | ||||
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SIHA17N80E-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |