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STN3NF06  与  BSP318S H6327  区别

型号 STN3NF06 BSP318S H6327
吃瓜编号 A3-STN3NF06 A-BSP318S H6327
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 60 V 0.1 Ohm STripFET II Power MosFet SMT - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 90mΩ
漏源极电压Vds - 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W
Qg-栅极电荷 - 14nC
栅极电压Vgs - 10V
正向跨导 - 最小值 - 2.4S
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-223 -
连续漏极电流Id - 2.6A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSP318
长度 - 6.5mm
下降时间 - 15ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 1.6mm
库存与单价
库存 4,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN3NF06 STMicro  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 4,000 当前型号
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A

暂无价格 0 对比
IRFL014NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

160mΩ@1.9A,10V ±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 2.7A SOT-223

暂无价格 0 对比
BSP318S H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

60V 2.6A 90mΩ 10V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
IRFL024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 75mΩ@2.8A,10V N-Channel 55V 4A SOT-223

暂无价格 0 对比

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