QS6K1TR 与 SI3932DV-T1-GE3 区别
| 型号 | QS6K1TR | SI3932DV-T1-GE3 | ||||||||||
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| 吃瓜编号 | A33-QS6K1TR-0 | A-SI3932DV-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6 | Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT | TSOP-6 | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1A | 3.7A | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 238mΩ@1A,4.5V | 47mΩ | ||||||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | 2.2V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 77pF @ 10V | 235pF @ 15V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1.4W | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.4nC @ 4.5V | 6nC @ 10V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 1,297 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥2.6544
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1,297 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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