FDMC5614P 与 SI7309DN-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMC5614P | SI7309DN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-FDMC5614P | A3t-SI7309DN-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | P-Channel 60 V 100 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power33 | Si7309DN Series P-Channel 60 V 0.115 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@5.7A,10V | 115 mOhms @ 3.9A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W(Ta),42W(Tc) | 3.2W(Ta),19.8W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-MLP(3.3x3.3) | PowerPAK® 1212-8 |
| 连续漏极电流Id | 5.7A | 8A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1055pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDMC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.7A(Ta),13.5A(Tc) ±20V 2.1W(Ta),42W(Tc) 100mΩ@5.7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 60V 5.7A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI7309DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A(Tc) P-Channel 115 mOhms @ 3.9A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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