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FQT13N06LTF  与  SIHLL014-GE3  区别

型号 FQT13N06LTF SIHLL014-GE3
吃瓜编号 A3t-FQT13N06LTF A3t-SIHLL014-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 N-Channel 60 V 0.11Ohm Surface Mount Logic Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.1W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 110 毫欧 @ 1.4A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2.8A(Tc) -
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.4nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.4nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQT13N06LTF ON Semiconductor 通用MOSFET

2.1W(Tc) 110m Ohms@1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 2.8A N-Channel 60V 2.8A(Tc) ±20V 110 毫欧 @ 1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA

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SIHLL014-GE3 Vishay 未分类

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