IRFM120ATF 与 SIHLL110TR-GE3 区别
| 型号 | IRFM120ATF | SIHLL110TR-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-IRFM120ATF | A3t-SIHLL110TR-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.4W | - |
| 宽度 | 3.7mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200 m0hms | 540 mOhms @ 900mA,5V |
| 引脚数目 | 3+Tab | - |
| 最小栅阈值电压 | 2V | - |
| Vgs(th) | - | 2V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | - |
| 封装/外壳 | 6.7*3.7*1.7mm | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 2.3 A | 1.5A(Tc) |
| 长度 | 6.7mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| Vgs(最大值) | - | ±10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 高度 | 1.7mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 370 pF @ 25 V | 100V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.4W(Ta) | 2W(Ta),3.1W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | N-Channel |
| 系列 | IRFM | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 480pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFM120ATF | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.7*3.7*1.7mm 370 pF @ 25 V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SIHLL110TR-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.5A(Tc) N-Channel 540 mOhms @ 900mA,5V 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHLL110TR-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.5A(Tc) N-Channel 540 mOhms @ 900mA,5V 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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