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IRFZ34PBF  与  FQP30N06L  区别

型号 IRFZ34PBF FQP30N06L
吃瓜编号 A3t-IRFZ34PBF A3t-FQP30N06L
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.05 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 N-Channel 60 V 40 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ 35 毫欧 @ 16A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 88W(Tc) 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 30A 32A(Tc)
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V 1040pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 10V 20nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1040pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ34PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 88W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 60V 30A 50mΩ

暂无价格 0 当前型号
IRFZ34NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@16A,10V N-Channel 55V 29A TO-220AB

暂无价格 0 对比
FQP20N06 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

53W(Tc) 60m Ohms@10A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 20A N-Channel 60V 20A(Tc) ±25V 60 毫欧 @ 10A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
MTP10N10ELG ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FQP30N06L ON Semiconductor 功率MOSFET

79W(Tc) 35mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) 32A N-Channel 60V 32A(Tc) ±20V 35 毫欧 @ 16A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB TO-220-3

暂无价格 0 对比
MTP30N06VL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

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