NDT2955 与 ZXMP6A13GTA 区别
| 型号 | NDT2955 | ZXMP6A13GTA |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-NDT2955 | A-ZXMP6A13GTA |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 60 V 3 W 15 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223 | ZXMP6A13G Series 60 V 390 mOhm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 3W(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 300 毫欧 @ 2.5A,10V | 390mΩ@900mA,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta) | 2W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.5A(Ta) | 2.3A |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 601pF @ 30V | 219pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | 5.9nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 601pF @ 30V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NDT2955 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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ZXMP6A13GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 390mΩ@900mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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ZXMP6A13GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 390mΩ@900mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHFL9014TR-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) P-Channel 500 mOhms @ 1.1A,10V 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHFL9014-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |