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NTR4171PT1G  与  IRLML6402TRPBF  区别

型号 NTR4171PT1G IRLML6402TRPBF
吃瓜编号 A3t-NTR4171PT1G A-IRLML6402TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm -
正向跨导-最小值 7 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.2A,10V 65mΩ@3.7A,4.5V
上升时间 16 ns -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 3.7A
配置 Single -
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 2.5V,4.5V
下降时间 22 ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
高度 0.94 mm -
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 480mW(Ta) 1.3W
典型关闭延迟时间 32 ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 NTR4171P HEXFET®
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V 633pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V 12nC @ 5V
典型接通延迟时间 9 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 3,440
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23

暂无价格 3,440 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
SI3401A-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 70mΩ@3.8A,10V 30V ±20V P-Channel

¥0.3286 

阶梯数 价格
1: ¥0.3286
3,000: ¥0.285
80 对比
SI3401A-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 50 对比

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