NVR1P02T1G 与 NTR1P02T1 区别
| 型号 | NVR1P02T1G | NTR1P02T1 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-NVR1P02T1G | A3t-NTR1P02T1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 400mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 180 毫欧 @ 1.5A,10V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 1A(Ta) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 165pF @ 5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.5nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NVR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 27,000 | 对比 |
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTR1P02T1 | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 1A(Ta) ±20V 180 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSH205G2VL | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.48W 150°C 8V,-0.7V -20V -2.3A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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