PSMN8R7-100YSFX 与 SIJ4108DP-T1-GE3 区别
| 型号 | PSMN8R7-100YSFX | SIJ4108DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-PSMN8R7-100YSFX | A-SIJ4108DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SOT669 | PowerPAK® SO-8 |
| 工作温度 | 175°C | - |
| 连续漏极电流Id | 90A | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| 输入电容 | 2758pF | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 198W | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 9mΩ@10V | - |
| 输出电容 | 532pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3.1V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN8R7-100YSFX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 198W 175°C 3.1V 100V 90A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIJ4108DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SIJ4108DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
