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RLZTE-113.6B  与  TLZ3V6B-GS08  区别

型号 RLZTE-113.6B TLZ3V6B-GS08
吃瓜编号 A3t-RLZTE-113.6B A-TLZ3V6B-GS08
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 未分类 稳压(齐纳)二极管
描述 ZENER DIODE SOD80 MINIMELF-e2-M
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1/2W 500mW
稳压电流Izt - 5 uA
齐纳电压Vz - 3.6V
阻抗(最大值)(Zzt) 60 Ohms -
封装/外壳 LLDS SOD-80(MiniMELF)
反向漏电流Ir - 5uA @ 1V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.6V -
工作温度 - -65°C~175°C
测试电流It(mA) - 20 mA
系列 - TLZ
偏差 ±3% -
电压,耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr 1V -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA -
齐纳阻抗Zzt - 60 Ohms
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RLZTE-113.6B ROHM Semiconductor 未分类

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TLZ3V6B-GS08 Vishay  数据手册 稳压(齐纳)二极管

3.6V 60 Ohms 500mW -65°C~175°C 5uA @ 1V SOD-80(MiniMELF)

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