SI1922EDH-T1-GE3 与 US6K4TR 区别
| 型号 | SI1922EDH-T1-GE3 | US6K4TR | ||
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| 吃瓜编号 | A3t-SI1922EDH-T1-GE3 | A3x-US6K4TR | ||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 198 mOhm 1.25 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-363 | US6K4 Series 20 V 1.5 A 180 mOhm Surface Mount Dual N-Channel Mosfet - TUMT-6 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | TUMT | ||
| 连续漏极电流Id | 1.3A | 1.5A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 198 mOhms @ 1A,4.5V | 180mΩ@1.5A,4.5V | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 1mA | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 10V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1W | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.5nC @ 4.5V | ||
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | - | ||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 9,050 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.3A 2N-Channel 198 mOhms @ 1A,4.5V 1.25W SOT-363 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 84,000 | 对比 | ||||||||||||
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US6K4TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥0.5492
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9,050 | 对比 | ||||||||||||
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US6K4TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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US6K4TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥4.3025
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699 | 对比 | ||||||||||||
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US6K4TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥5.0024
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98 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
