SI3459BDV-T1-GE3 与 FDC5614P 区别
| 型号 | SI3459BDV-T1-GE3 | FDC5614P |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-SI3459BDV-T1-GE3 | A-FDC5614P-3 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | MOSFET | P-Channel 60 V 105 mohm Logic Level PowerTrench Mosfet - SSOT-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.65 mm | - |
| 零件号别名 | SI3459BDV-GE3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 216mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 3V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta),3.3W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SuperSOT-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 2.2A | - |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 长度 | 3.05 mm | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 350pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 高度 | 1.1 mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3459BDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 P-Channel 2.2A 216mΩ 3V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
NTGS5120PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TSOP-6-1.5mm |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
|
NTGS5120PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TSOP-6-1.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
