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SIHFL9014-GE3  与  NDT2955  区别

型号 SIHFL9014-GE3 NDT2955
吃瓜编号 A3t-SIHFL9014-GE3 A3t-NDT2955
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 3 W 15 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 300 毫欧 @ 2.5A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 - TO-261-4,TO-261AA
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.5A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 601pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 601pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHFL9014-GE3 Vishay 未分类

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SOT-223-4

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NDT2955 ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA

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