SIHG22N65E 与 IPW65R190C7 区别
| 型号 | SIHG22N65E | IPW65R190C7 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-SIHG22N65E | A-IPW65R190C7 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.21mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 168mΩ |
| 上升时间 | - | 11ns |
| 漏源极电压Vds | - | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 72W |
| Qg-栅极电荷 | - | 23nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 54ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | - | 13A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | CoolMOSC7 |
| 长度 | - | 16.13mm |
| 下降时间 | - | 9ns |
| 高度 | - | 21.1mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHG22N65E | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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IPW65R190C7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 13A 168mΩ 20V 72W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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