SIHLL014-GE3 与 IRLL024NPBF 区别
| 型号 | SIHLL014-GE3 | IRLL024NPBF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-SIHLL014-GE3 | A-IRLL024NPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 2.1 W 10.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ@3.1A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | SOT-223 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 4.4A |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 510pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15.6nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHLL014-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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NTF3055-100T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FQT13N06LTF | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.1W(Tc) 110m Ohms@1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 2.8A N-Channel 60V 2.8A(Tc) ±20V 110 毫欧 @ 1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IRLL024NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) 65mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 4.4A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFL014NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
160mΩ@1.9A,10V ±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 2.7A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFL014NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 160mΩ@1.9A,10V N-Channel 55V 2.7A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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