TPHR9003NL 与 SIRA60DP-T1-GE3 区别
| 型号 | TPHR9003NL | SIRA60DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-TPHR9003NL | A3t-SIRA60DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET 30V N-CHAN PowerPAK SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 0.94mΩ@20A,10V |
| 漏极-源极电压 | 30V | - |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 57W(Tc) |
| 开启状态电阻 | 1.4m Ohms | - |
| 栅极电压Vgs | - | +20V,-16V |
| FET类型 | N-MOSFET | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOP8A | PowerPAK®SO-8 |
| 漏极电流 | 60A | - |
| 耗电 | 78W | - |
| 栅极-源极电压 | ±20V | - |
| 连续漏极电流Id | - | 100A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | TrenchFET® Gen IV |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7650pF @ 15V |
| 安装 | SMD | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 4.5V |
| 极化 | 单极 | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 包装类型 | 胶带 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TPHR9003NL | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIRA60DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 100A(Tc) +20V,-16V 57W(Tc) 0.94mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIRA60DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 100A(Tc) +20V,-16V 57W(Tc) 0.94mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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