US6K4TR 与 SI1922EDH-T1-GE3 区别
| 型号 | US6K4TR | SI1922EDH-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3x-US6K4TR | A3t-SI1922EDH-T1-GE3 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | US6K4 Series 20 V 1.5 A 180 mOhm Surface Mount Dual N-Channel Mosfet - TUMT-6 | Dual N-Channel 20 V 198 mOhm 1.25 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-363 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | TUMT | SOT-363 | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 1.5A | 1.3A | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180mΩ@1.5A,4.5V | 198 mOhms @ 1A,4.5V | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 110pF @ 10V | - | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1W | 1.25W | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.5nC @ 4.5V | - | ||
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA | ||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 9,050 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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US6K4TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥0.5492
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9,050 | 当前型号 | ||||
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SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.3A 2N-Channel 198 mOhms @ 1A,4.5V 1.25W SOT-363 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
