SQ2361ES-T1_GE3 与 SSM3J356R,LF 区别
| 型号 | SQ2361ES-T1_GE3 | SSM3J356R,LF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-SQ2361ES-T1_GE3 | A3t-SSM3J356R,LF |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 177mΩ@2.4A,10V | - |
| 上升时间 | 9ns | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Qg-栅极电荷 | 12nC | - |
| 产品状态 | - | 在售 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 330 pF @ 10 V |
| Vgs(th) | - | 2V @ 1mA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 5S | - |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 8.3 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | TO-236 | SOT-23F |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.8A | 2A(Ta) |
| 配置 | Single | - |
| Vgs(最大值) | - | +10V,-20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| 下降时间 | 4ns | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60 V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1W(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 300 毫欧 @ 1A,10V |
| 典型关闭延迟时间 | 22ns | - |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 系列 | SQ | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 550pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 8ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-236 2.8A 2W 177mΩ@2.4A,10V 60V ±20V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SSM3J356R,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) SOT-23F 150°C(TJ) 60 V 2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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