SSM3J356R,LF 与 SQ2361ES-T1_GE3 区别
| 型号 | SSM3J356R,LF | SQ2361ES-T1_GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-SSM3J356R,LF | A3-SQ2361ES-T1_GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 177mΩ@2.4A,10V |
| 上升时间 | - | 9ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 12nC |
| 产品状态 | 在售 | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 330 pF @ 10 V | - |
| Vgs(th) | 2V @ 1mA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 5S |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 8.3 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | SOT-23F | TO-236 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2A(Ta) | 2.8A |
| 配置 | - | Single |
| Vgs(最大值) | +10V,-20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 4ns |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | 60 V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | 2W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 300 毫欧 @ 1A,10V | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 22ns |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 系列 | - | SQ |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 8ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM3J356R,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) SOT-23F 150°C(TJ) 60 V 2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-236 2.8A 2W 177mΩ@2.4A,10V 60V ±20V 车规 |
￥1.8681
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47 | 对比 | ||||
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SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-236 2.8A 2W 177mΩ@2.4A,10V 60V ±20V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-236 2.8A 2W 177mΩ@2.4A,10V 60V ±20V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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