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FDC5614P_NL  与  SI3127DV-T1-GE3  区别

型号 FDC5614P_NL SI3127DV-T1-GE3
吃瓜编号 A3t-FDC5614P_NL A-SI3127DV-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TSOT-23-6
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 13A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 89mΩ@1.5A,4.5V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC5614P_NL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI3127DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A

暂无价格 100 对比
SI3127DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A

暂无价格 0 对比

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