GSIB2560-E3/45 与 IRLB3034PBF 区别
| 型号 | GSIB2560-E3/45 | IRLB3034PBF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-GSIB2560-E3/45 | A-IRLB3034PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 整流桥 | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 40 V 375 W 108 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.7mΩ@195A,10V |
| 上升时间 | - | 827ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 108nC |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 286S |
| 封装/外壳 | 4-SIP,GSIB-5S | TO-220AB |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | - | 343A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 355ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 10315pF @ 25V |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 技术 | 标准 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 375W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 97ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 反向漏电流Ir | 10uA @ 600V | - |
| 电压-峰值反向(最大值) | 600V | - |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 正向电压Vf | 1V @ 12.5A | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 10315pF @ 25V |
| 二极管类型 | Single Phase | - |
| 正向电流If | 3.5A | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 162nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | - | 65ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 162nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GSIB2560-E3/45 | Vishay | 数据手册 | 整流桥 |
4-SIP,GSIB-5S -55°C~150°C(TJ) 1V @ 12.5A 3.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
GSIB2060-E3/45 | Vishay | 数据手册 | 整流桥 |
4-SIP,GSIB-5S -55°C~150°C(TJ) 1V @ 10A 3.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DFB2560 | ON Semiconductor | 整流二极管 |
1.1V@25A 10uA@600V 600V 25A -55°C~150°C(TJ) 4-SIP,TS-6P TS-6P |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
IRLB3034PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C TO-220AB 40V 343A 1.7mΩ@195A,10V ±20V 375W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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