全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”,尺寸仅为1.0mm×1.0mm。 新产品采用融入ROHM自有工艺方法的Wettable Flank成型技术※2,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证了封装侧面电极部分125μm的高度,属于业内较高水平。经自动光学检查(以下简称“AOI”※3),在追求品质的车载相关设备上安装重要元器件后会实施该检查)确认,实现了非常出色的焊接可靠性。另外,通常小型化和高散热性之间存在着矛盾权衡关系,采用底部电极结构的新封装同时兼顾了小型化与高散热性,非常适用于电路板高密度化的车载ECU和高级驾驶辅助系统(ADAS)等相关设备。 近年来,随着汽车电子化进程的加速,一台汽车中使用的电子元器件和半导体元器件数量呈增多趋势。因此,需要在有限的空间里安装更多的元器件,安装密度越来越高。例如,1个车载ECU中的半导体和积层陶瓷电容器的平均搭载数量,预计到2025年将从2019年的186个※增加至230个※,增加近3成。为了满足安装密度越来越高的车载应用的需求,市场对小型化的要求也越来越高,因此能够兼顾小型和高散热性的底部电极封装形式开始受到青睐。 ※截至2020年9月29日据ROHM调查 新产品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技术,成功解决了这一课题,并实现了车载用超小型MOSFET,得到了越来越多的汽车领域制造商的青睐。未来,不仅在MOSFET领域,ROHM 也会在双极晶体管和二极管领域的产品阵容进行不断扩充。 采用传统技术的底部电极封装,因其无法在引线框架侧面进行电镀加工,无法确保车载所需的焊料高度,难以实施AOI。新产品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技术, 实现达到引线框架上限的电镀加工,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证封装侧面电极部分高度达125μm。即使是底部电极封装,也可实现稳定的焊接圆角,通过元器件安装后的AOI可切实确认焊接状态。 新产品尺寸仅为1.0mm×1.0mm(DFN1010封装),却实现了与2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封装)同等的性能,可削减安装面积达85%左右。不仅如此,通过采用散热性能优异的底部电极,与SOT-23封装相比,可将通常因体积缩小而降低的散热性提高65%。新产品兼顾了小型化与高散热性,非常适用于随功能增加,电路板日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备等应用。 可作为开关应用和反接保护应用中的通用产品使用 ・自动驾驶控制ECU ・引擎控制ECU ・ADAS相关设备 等 ・车载信息娱乐系统 ・行车记录仪 ※1) 汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101 AEC是Automotive Electronics Council的缩写,是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是专门针对分立半导体元器件(晶体管、二极管等)制定的标准。 ※2) Wettable Flank成型技术 在QFN和DFN等底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。可提高焊接可靠性。 ※3) AOI(Automated Optical Inspection) 通过摄像头扫描安装电路板,自动检查元器件缺失、品质缺陷及焊接状态等情况。
新产品已于2020年9月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格:100日元/个,不含税)。
另一方面,对于车载元器件,为确保可靠性,虽然会在安装元器件后实施AOI,但由于底部电极封装只在底部有电极,故无法确认焊接状态,进行车载标准的AOI有一定难度。
<特点>
1. 利用融入ROHM自有工艺方法的Wettable Flank成型技术,保证封装侧面电极部分125μm的高度

2. 替换为超小型、高散热性的MOSFET,可应对电路板的高密度化

<产品阵容>

<应用示例>
<术语解说>
太阳诱电株式会社研发出2012尺寸(2.0×1.25mm)下的100μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC"),在商品化,并已开始量产。
Vishay 推出一款新型通过 AEC-Q200 认证、玻璃封装保护的 NTC 热敏电阻,采用广泛使用的 0.5 mm x 0.5 mm x 1 mm 0402 封装。
Vishay 推出两种新型 1200 V MOSFET 功率模块,提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。
如今消费电子行业正朝着 “轻、薄、小” 方向快速迭代,笔记本电脑追求更轻薄的机身、游戏主机尝试紧凑化设计,这对内部电源模块提出了更高要求 —— 既要满足设备功率提升带来的性能需求,又要在有限空间内实现高密度布局。
EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK™ 1C 1200V 13mΩ四单元模块,搭载第二代CoolSiC™ MOSFET技术。。。
采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET G2 1400V功率器件,是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。
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