| 制造商编号 | PHT4NQ10LT,135 |
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| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 吃瓜编号 | A3t-PHT4NQ10LT,135 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 不符合RoHs |
| 描述 |
3.5A(Tc) ±16V 6.9W(Tc) 250m Ohms@1.75A,5V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA SC-73 N-Channel 100V 3.5A
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暂无数据
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参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | TrenchMOS™ | |
| 连续漏极电流Id | 3.5A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 5V | |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.2nC @ 5V | |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 374pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±16V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 6.9W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250m Ohms@1.75A,5V | |
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | |
| 封装/外壳 | SC-73 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 3.5A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期:
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高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 174,000 |
| S-LP3407LT1G | 144,000 |
| LP2301LT1G | 123,200 |
| CRSM013N06N4Z | 91,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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PHT4NQ10LT,135 | Nexperia | 通用MOSFET |
3.5A(Tc) ±16V 6.9W(Tc) 250m Ohms@1.75A,5V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA SC-73 N-Channel 100V 3.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SIHFL110-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |