PHT4NQ10LT,135 与 SIHFL110-GE3 区别
| 型号 | PHT4NQ10LT,135 | SIHFL110-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-PHT4NQ10LT,135 | A3t-SIHFL110-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250m Ohms@1.75A,5V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 6.9W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±16V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | SC-73 | - |
| 连续漏极电流Id | 3.5A | - |
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | - |
| 系列 | TrenchMOS™ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 1mA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 374pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12.2nC @ 5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PHT4NQ10LT,135 | Nexperia | 通用MOSFET |
3.5A(Tc) ±16V 6.9W(Tc) 250m Ohms@1.75A,5V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA SC-73 N-Channel 100V 3.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SIHFL110-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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