| 制造商编号 | SSM3J356R,LF |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 吃瓜编号 | A3t-SSM3J356R,LF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 300 毫欧 @ 1A,10V | |
| Vgs(th) | 2V @ 1mA | |
| Vgs(最大值) | +10V,-20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 330 pF @ 10 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 8.3 nC @ 10 V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | SOT-23F | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源极电压Vds | 60 V | |
| 连续漏极电流Id | 2A(Ta) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
制造商那里获得的最小包装数。由于吃瓜提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
请咨询客服
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采用绕线工艺与磁屏蔽结构，具有良好的共模噪声抑制能力
高耐压、高电流承载能力与优异的抗浪涌性能，专为交流开关控制场景设计，
高可靠性厚膜电阻，体积小、重量轻、电性能稳定、机械强度高
具备优异的静态和动态性能，适用于高dV/dt和高di/dt的严苛电路环境
产品线丰富，覆盖了从微小信号处理到高功率控制的广泛需求
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 174,000 |
| S-LP3407LT1G | 144,000 |
| LP2301LT1G | 123,200 |
| CRSM013N06N4Z | 91,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM3J356R,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) SOT-23F 150°C(TJ) 60 V 2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-236 2.8A 2W 177mΩ@2.4A,10V 60V ±20V 车规 |
￥1.8681
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47 | 对比 | ||||
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SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-236 2.8A 2W 177mΩ@2.4A,10V 60V ±20V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-236 2.8A 2W 177mΩ@2.4A,10V 60V ±20V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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