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IRF7451TRPBF  与  SI4848DY-T1-GE3  区别

型号 IRF7451TRPBF SI4848DY-T1-GE3
吃瓜编号 A-IRF7451TRPBF A-SI4848DY-T1-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 150 V 2.5 W 28 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@2.2A,10V 85mΩ
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SOIC-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A 3.7A
系列 HEXFET® TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA 2V @ 250µA(最小)
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V 21nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 5
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7451TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,10V N-Channel 150V 3.6A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
SI4848DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ

暂无价格 5 对比
SI4848DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ

暂无价格 0 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A

¥13.837 

阶梯数 价格
20: ¥13.837
50: ¥8.6913
100: ¥8.0493
300: ¥7.6181
500: ¥7.5318
1,000: ¥7.4647
2,000: ¥7.436
2,420 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥27.3099 

阶梯数 价格
6: ¥27.3099
10: ¥17.4496
30: ¥13.1567
50: ¥12.3039
100: ¥11.6522
300: ¥11.2306
500: ¥11.1444
1,000: ¥11.0773
1,025 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A

暂无价格 200 对比

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