IRLML2030TRPBF 与 BSH108,215 区别
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规格信息
型号	IRLML2030TRPBF	BSH108,215
吃瓜编号	A-IRLML2030TRPBF	A-BSH108,215
制造商	Infineon Technologies	Nexperia
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	功率MOSFET	小信号MOSFET
描述	Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23	BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3
数据表	IRLML2030TRPBF.pdf	BSH108.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	100mΩ@2.7A,10V	-
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	1.3W(Ta)	0.83W
输出电容	-	70pF
栅极电压Vgs	±20V	1.5V,20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	Micro3™/SOT-23	SOT23
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	150°C
连续漏极电流Id	2.7A	1.9A
系列	HEXFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 25µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	110pF @ 15V	-
输入电容	-	190pF
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	1nC @ 4.5V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	-
Rds On(max)@Id,Vgs	-	140mΩ@5V,120mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 25µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	110pF @ 15V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	1nC @ 4.5V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRLML2030TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.7A,10V N-Channel 30V 2.7A Micro3™/SOT-23	暂无价格	当前型号
RTR025N03TL	ROHM Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A	暂无价格	对比
XP151A11B0MR-G	Torex Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	SOT23 500mW(Ta) 150°C(TJ)	暂无价格	对比
RTR025N03TL	ROHM Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A	暂无价格	对比
BSH108,215	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	SOT23 N-Channel 0.83W 150°C 1.5V,20V 30V 1.9A	暂无价格	对比
BSH108,215	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	SOT23 N-Channel 0.83W 150°C 1.5V,20V 30V 1.9A	暂无价格	对比