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IRLML2030TRPBF  与  XP151A11B0MR-G  区别

型号 IRLML2030TRPBF XP151A11B0MR-G
吃瓜编号 A-IRLML2030TRPBF A-XP151A11B0MR-G
制造商 Infineon Technologies Torex Semiconductor
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@2.7A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 500mW(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) - 4.5V,10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT23
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) - 120 毫欧 @ 500mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V -
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) - 1A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V 150pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.7A,10V N-Channel 30V 2.7A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 0 对比
XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT23 500mW(Ta) 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 0 对比
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.83W 150°C 1.5V,20V 30V 1.9A

暂无价格 0 对比
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.83W 150°C 1.5V,20V 30V 1.9A

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