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SI2336DS-T1-GE3  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 SI2336DS-T1-GE3 IRLML6346TRPBF
吃瓜编号 A-SI2336DS-T1-GE3 A-IRLML6346TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ 63mΩ@3.4A,4.5V
上升时间 10ns -
Qg-栅极电荷 10nC -
栅极电压Vgs 400mV ±12V
正向跨导 - 最小值 30S -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.2A 3.4A
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 10ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
高度 1.45mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W 1.3W(Ta)
典型关闭延迟时间 20ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SI2 HEXFET®
通道数量 1Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 15V 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 8V 2.9nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 6ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 39 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2336DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV

暂无价格 39 当前型号
PMV60EN,215 Nexperia 未分类

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IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23

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NXV55UN Nexperia 小信号MOSFET

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16TQC100MYFSANYO Panasonic 未分类

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PMV40UN,215 Nexperia 通用MOSFET

N-Channel 4.9A(Tc) ±8V 1.9W(Tc) 47m Ohms@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236AB N-Channel 30V 4.9A

暂无价格 0 对比

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