SI2336DS-T1-GE3 与 16TQC100MYFSANYO 区别
| 型号 | SI2336DS-T1-GE3 | 16TQC100MYFSANYO |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SI2336DS-T1-GE3 | A3t-16TQC100MYFSANYO |
| 制造商 | Vishay | Panasonic |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.60mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 42mΩ | - |
| 上升时间 | 10ns | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W | - |
| Qg-栅极电荷 | 10nC | - |
| 栅极电压Vgs | 400mV | - |
| 典型关闭延迟时间 | 20ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 30S | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 5.2A | - |
| 系列 | SI2 | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 560pF @ 15V | - |
| 长度 | 2.9mm | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 8V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - |
| 下降时间 | 10ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 6ns | - |
| 高度 | 1.45mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 39 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV |
暂无价格 | 39 | 当前型号 |
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PMV60EN,215 | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NXV55UN | Nexperia | 小信号MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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16TQC100MYFSANYO | Panasonic | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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PMV40UN,215 | Nexperia | 通用MOSFET |
N-Channel 4.9A(Tc) ±8V 1.9W(Tc) 47m Ohms@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236AB N-Channel 30V 4.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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