SIHB22N60E-GE3 与 TK16G60W 区别
| 型号 | SIHB22N60E-GE3 | TK16G60W |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SIHB22N60E-GE3 | A3t-TK16G60W |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK | Toshiba N沟道 MOSFET TK16G60W, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 130W |
| 宽度 | - | 10.27mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180mΩ@11A,10V | 190 m0hms |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最小栅阈值电压 | - | 2.7V |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±30 V |
| 封装/外壳 | D2PAK | 10.35*10.27*4.46mm |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 21A | 15.8 A |
| 长度 | - | 10.35mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 正向二极管电压 | - | 1.7V |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 高度 | - | 4.46mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 100 ns |
| 漏源极电压Vds | 600V | 1350 pF @ 300 V |
| Pd-功率耗散(Max) | 227W(Tc) | - |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | 增强 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1920pF @ 100V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 86nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 50 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB24N60M2 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 7,000 | 对比 |
|
STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
|
STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
TK16G60W | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
STB21NK50ZT4 | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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