SPW20N60S5 与 SIHG22N60E-GE3 区别
| 型号 | SPW20N60S5 | SIHG22N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-SPW20N60S5 | A-SIHG22N60E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.21mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ | 180mΩ |
| 上升时间 | 25ns | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 4V |
| Pd-功率耗散(Max) | 208W | 227W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±30V |
| 典型关闭延迟时间 | 130ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | 20A | 21A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 系列 | CoolMOSS5 | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 长度 | 16.13mm | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1920pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 86nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | 30ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 120ns | - |
| 高度 | 21.1mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 203 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPW20N60S5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 20A 190mΩ 20V 208W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHG22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 21A 180mΩ 4V |
暂无价格 | 203 | 对比 |
|
IRFP21N60LPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 320 mOhms @ 13A,10V 330W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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