NDS355AN 与 IRLML2030TRPBF 区别
| 型号 | NDS355AN | IRLML2030TRPBF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-NDS355AN | A-IRLML2030TRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 0.085 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3 | Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 100mΩ@2.7A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.3W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | Micro3™/SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 2.7A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS355AN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
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AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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RTR030N05TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 740mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 740mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLML2030TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.7A,10V N-Channel 30V 2.7A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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