NDS355AN 与 RTR030N05TL 区别
| 型号 | NDS355AN | RTR030N05TL |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-NDS355AN | A-RTR030N05TL |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 0.085 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3 | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 1W(Ta) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 510pF @ 10V |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT3 |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1.5V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 67 毫欧 @ 3A,4.5V |
| Vgs(最大值) | - | ±12V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 2.5V,4.5V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 3A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 45V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 6.2nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NDS355AN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
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AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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RTR030N05TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 740mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 740mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLML2030TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.7A,10V N-Channel 30V 2.7A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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