NVR5198NLT1G 与 SI2308BDS-T1-E3 区别
| 型号 | NVR5198NLT1G | SI2308BDS-T1-E3 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-NVR5198NLT1G | A-SI2308BDS-T1-E3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 1.7A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 156mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.09W(Ta),1.66W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 1.9A |
| 系列 | - | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 190pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.8nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVR5198NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
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AO3422 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 55V ±12V 2.1A 1.25W 160mΩ@2.1A,4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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ZXMN6A07FQTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 1.4A 250mΩ 20V 806mW -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SQ2308CES-T1-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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SI2308BDS-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI2308BDS-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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