NVR5198NLT1G 与 ZXMN6A07FQTA 区别
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规格信息
型号	NVR5198NLT1G	ZXMN6A07FQTA
吃瓜编号	A3-NVR5198NLT1G	A-ZXMN6A07FQTA
制造商	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	MOSFET	小信号MOSFET
描述	表面贴装型 N 通道 60 V 1.7A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）	N-Channel 60 V 0.25 O 3.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表	NVR5198NLT1G.pdf	ZXMN6A07FQTA.pdf
RoHs	不符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	-	250mΩ
上升时间	-	1.4ns
漏源极电压Vds	-	60V
产品特性	-	车规
Pd-功率耗散(Max)	-	806mW
Qg-栅极电荷	-	3.2nC
栅极电压Vgs	-	20V
正向跨导 - 最小值	-	2.3S
典型关闭延迟时间	-	4.9ns
封装/外壳	SOT-23	-
连续漏极电流Id	-	1.4A
工作温度	-	-55°C~150°C
通道数量	-	1Channel
配置	-	Single
下降时间	-	2ns
典型接通延迟时间	-	1.8ns
库存与单价
库存	3,000	0
工厂交货期	3 - 15天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
NVR5198NLT1G	ON Semiconductor	数据手册	MOSFET	SOT-23	暂无价格	3,000	当前型号
AO3422	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 N-Channel 55V ±12V 2.1A 1.25W 160mΩ@2.1A,4.5V -55°C~150°C	暂无价格	0	对比
ZXMN6A07FQTA	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	60V 1.4A 250mΩ 20V 806mW -55°C~150°C 车规	暂无价格	0	对比
SQ2308CES-T1-GE3	Vishay		未分类		暂无价格	0	对比
SI2308BDS-T1-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 60V 1.9A 156mΩ	暂无价格	0	对比
SI2308BDS-T1-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 60V 1.9A 156mΩ	暂无价格	0	对比